ذاكرة "دي دي آر 2" من سامسونج تحصل على تصديق "إنتل"

أعلنت سامسونج للإلكترونيات، الشركة العاملة في تكنولوجيا الذاكرة المتقدّمة، أن ذاكرة DRAM من فئة DDR2 (بيانات مزدوجة الوتيرة) و50 نانومتر التي تصنعها الشركة قد نالت التصديق من شركة إنتل للعمل مع مجموعات الرقائق الحالية والعتيدة التي تنتجها إنتل على سرعات تبلغ 800 ميغابايت في الثانية· والجدير بالذكر أنّ ذاكرات DRAM (ذاكرة النيل العشوائي الدينامية) من سامسونج هي الأكثر تقدّماً بين منافساتها· و طوّرت سامسونج الذاكرة من نوع DDR2 بسعة 1 جيجابيت التي تستعين بتكنولوجيا المعالجة من فئة 50 نانومتر في أكتوبر عام ·2006 وقد كانت الأولى في هذا المضمار لأنّ أيّ شركة أخرى لم تطوّر تكنولوجيا معالجة مشابهة لذاكرات من نوع DDR2· وتؤدّي معالجة ذاكرات DRAM من نوع DDR2 وسعة 1 جيغابيت بنطاق 50 نانومتر إلى مضاعفة إنتاجة الذاكرات من النوع نفسه ولكن بتكنولوجيا معالجة بنطاق 80 نانومتر، ناهيك عن أنها تحسّن فعاليّة الإنتاج بنسبة 50% مقارنة مع ذاكرات DRAM التي تستخدم عملية تصنيع من فئة 60 نانومتر· وما دام من المتوقّع أن يزداد استخدام الكمبيوترات التي تستعين بنظام تشغيل ويندوز فيستا بشكل كبير في أسواق الشركات خلال النصف الثاني من هذه السنة من المفترض أن يزداد الطلب أيضاً على ذاكرات أساسية بسعة أعلى· ومن المتوقّع أن تنتقل السوق من ذاكرات DRAM سعة 512 ميجابايت إلى ذاكرات DRAM سعة 1 جيجابايت· كما سينتقل المصنّعون من DDR2 إلى DDR3 في أواخر العام ·2007 وسيتمّ استخدام تكنولجيا المعالجة فئة 50 نانومتر لذاكرات DRAM من سامسونج والتي نالت التصديق من إنتل الآن في إنتاج DDR2 بكميّات كبيرة ابتداء من النصف الأول من السنة المقبلة، فضلاً عن ذاكرات DRAM أخرى من الجيل المقبل، من بينها DDR3 DDR4 DDR5، بالإضافة إلى أحدث ذاكرة DRAM جوّالة· كما صدّقت إنتل تكنولوجيا تصميم الرقاقات من فئة 60 نانومتر من سامسونج في مارس الماضي· وكانت سامسونج أوّل شركة تباشر بإنتاج الرقاقات من فئة 60 نانومتر بكميّات كبيرة في وقت سابق من السنة، وستكون السبّاقة أيضاً في إنتاج الذاكرات من فئة 50 نانومتر بكميّات كبيرة في السنة المقبلة فيما لا تزال شركات أخرى تستعين بتصاميم 60 و70 و80 نانومتر·